[发明专利]缺陷密度低,空位占优势的硅无效
| 申请号： | 98805003.X | 申请日： | 1998-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN1255169A | 公开（公告）日： | 2000-05-31 |
| 发明（设计）人： | R·法尔斯特;S·A·马克格拉夫;S·A·麦克奎德;J·C·霍尔泽;P·穆提;B·K·约翰逊 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B33/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 段承恩 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及毛坯或晶片形式的单晶硅,它含有第一轴对称区域,该区域内空位是占优势的本征点缺陷并且基本没有空位类本征点缺陷的附聚,其中第一轴对称区域包括中轴或有至少大约15mm的宽度,还涉及其制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 密度 空位 占优势 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅晶片，具有中轴；一般垂直于中轴的前侧面和背侧面；环状边缘；和从晶片的中轴伸展到环状边缘的半径，该晶片包括第一轴对称区域，该区域内空位是占优势的本征点缺陷并且基本没有附聚的空位类本征点缺陷，其中第一轴对称区域包括中轴或有至少大约15mm的宽度。
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