[发明专利]碳膜生长工艺无效
| 申请号： | 98805277.6 | 申请日： | 1998-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1260847A | 公开（公告）日： | 2000-07-19 |
| 发明（设计）人： | 兹维·彦尼夫;理查德·L·芬克;芝丹·L·托尔特 | 申请（专利权）人： | SI戴梦德技术公司 |
| 主分类号： | C30B23/04 | 分类号： | C30B23/04;C30B25/04;C30B29/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用对衬底(701)进行腐蚀然后淀积薄膜的工艺,制造了可以用于计算机显示器的场发射器件的薄膜(705)(碳和/或金刚石)。腐蚀步骤在衬底上产生用于膜淀积工艺的成核位置。用此工艺,避免了发射膜的图形化。用这种膜能够制造场发射器件。也可以淀积金属膜(702),用光刻方法(703)进行图形化,并腐蚀(704)以制备成核位置。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 工艺 | ||
【主权项】：
1.场发射器件的制造方法，它包含下列步骤：提供衬底；处理所述衬底以便修正所述衬底的形貌；以及在所述处理过的衬底上生长碳膜。
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