[发明专利]光电子半导体元件无效
| 申请号： | 98805870.7 | 申请日： | 1998-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1259237A | 公开（公告）日： | 2000-07-05 |
| 发明（设计）人： | F·菲舍尔;G·罗伊舍;T·利茨;G·兰德韦尔 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/183 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 光电子半导体元件,其中在半导体衬底(12)上设置一有源区(1),该有源区设置在至少一个第一谐振器镜面层(2)和至少一个第二谐振器镜面层(3)之间。第一(2)和第二(3)镜面层具有第一导电类型的半导体材料并且在有源区(1)与两镜面层(2、3)之一之间设置至少一个第一导电类型的第一高掺杂过渡层(11)和至少一个第二导电类型的第二高掺杂过渡层(10),并且以此方式设置,使得第二高掺杂简并过渡层(10)位于有源区(1)和第一高掺杂简并过渡层(11)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.光电子元件，具有至少一个适于产生电磁辐射(22)的半导体本体(24)，其中在半导体衬底(12)上设置至少一有源区(1)，在该有源区内当电流通过半导体本体(24)时产生电磁辐射(22)和该有源区设置在至少一个第一镜面层(2)和至少一个第二镜面层(3)之间，其特征在于，第一镜面层(2)和第二镜面层(3)具有第一导电类型的半导体材料，并且在有源区(1)与两个镜面层(2、3)之一之间设置至少一个第一导电类型的第一高掺杂过渡层(11)和至少一个第二导电类型的第二高掺杂过渡层(10)，并且是如此设置的，使得第二高掺杂简并过渡层(10)位于有源区(1)和第一高掺杂简并过渡层(11)之间。
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