[发明专利]在半导体器件中生成导电通道的工艺和装置无效
| 申请号： | 98806425.1 | 申请日： | 1998-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1261410A | 公开（公告）日： | 2000-07-26 |
| 发明（设计）人： | 贝恩德·克里格尔;弗兰克·库德拉;雷内·阿诺尔德 | 申请（专利权）人： | 约翰内斯·海登海因博士有限公司;硅传感器有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/02 | 分类号： | C30B13/02;H01L21/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 吴静波 |
| 地址： | 德国特劳*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及通过在最好放置在一半导体上的半导体器件的两对置顶面之间生成一温度梯度并在较冷顶面上施加导电掺杂位置用热迁移在半导体器件中生成导电通道的一种工艺和一种装置。半导体的一顶面位于一受冷却样本承接器上,相反顶面受热辐射,该热辐射的总效率和在半导体表面上的效率分布可控制。该热辐射的总效率和/或效率分布根据在该半导体/半导体器件上的至少一个测量点上测得的温度加以调节。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 生成 导电 通道 工艺 装置 | ||
【主权项】：
1、一种通过在一盘形半导体的两对置顶面之间生成一温度梯度和在较冷顶面上施加一导电掺杂物质用热迁移在该半导体中生成导电通道的工艺，其特征在于，按照一给定加热曲线把该半导体(10)的一顶面均匀加热到热迁移工艺的一给定工作温度后按照一给定冷却曲线冷却到一取出温度；该半导体(10)的另一顶面均匀冷却。
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