[发明专利]半导体集成电路装置及其制造方法

摘要

一种具有在每一个中都形成有构成存储单元的存储单元选择用MISFET(Qs)且由在半导体衬底(1)的主面的X方向上直线延伸的岛状的图形构成的有源区域(L)的DRAM,存储单元选择用MISFET(Qs)具有用恒定的宽度在半导体衬底(1)的主面的Y方向上延伸的栅极电极(7)(字线WL)。相邻的栅极电极(7)(字线WL)之间的间隔比栅极电极(7)的宽度窄。在每一存储单元选择用MISFET(Qs)上边形成的位线(BL)用恒定的宽度在半导体衬底(1)的主面的X方向上延伸。相邻的位线(BL)彼此间的间隔比位线的宽度宽。

主权项

1、一种半导体集成电路装置，该装置具有由具备配置在沿半导体衬底的主面的第1方向延伸的多条字线和沿与上述第1方向垂直的第2方向延伸的多条位线的交点上，且与上述字线构成为一体的栅电极的存储单元选择用MISFET和与之串联连接的信息存储用电容元件构成的DRAM存储单元，其特征是：上述多条字线，沿上述半导体衬底的主面的第1方向用同一宽度直线延伸，而相邻的字线彼此间的间隔比上述宽度小。