[发明专利]层状超晶格材料和ABO3型金属氧化物的制备方法和在不暴露于氧气下制备包括这些材料的电元件的方法无效
| 申请号： | 98807582.2 | 申请日： | 1998-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1265224A | 公开（公告）日： | 2000-08-30 |
| 发明（设计）人： | 贡特尔·申德勒;瓦尔特·哈特纳;卡洛斯·马聚雷;纳瑞恩·索拉亚潘;维克拉姆·乔西;格雷·F·德本威克 | 申请（专利权）人： | 塞姆特里克斯公司;西门子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;//C23C18/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 将含金属的液体前体涂覆(87)在第一电极(28、58)上,在160℃的第一温度和260℃的第二温度下,在空气中干燥(88、89),在氧气中在300℃RTP焙烧(90),在氮气中在650℃RTP焙烧(91),并且在氮气中在800℃退火(93)以形成钽酸锶铋层状超晶格材料(30、60)。淀积第二电极(32、77),然后使该元件形成图案(95)以便构成电容器(16、72),在氮气中,在800℃进行第二退火(96)。或者可以在氧气中,在600℃或更低的温度下进行第二退火。以这种方式可以制备层状超晶格材料的高电性能薄膜(30、60),而无需高温氧气退火。 | ||
| 搜索关键词： | 层状 晶格 材料 abo3 金属 氧化物 制备 方法 暴露 氧气 包括 这些 元件 | ||
【主权项】：
1、一种制备选自层状超晶格化合物和ABO3型金属氧化物化合物的材料(30、60)的方法，该方法包括：提供(85A、85B、80)基底(18、58)和前体，该前体包含在加热所述前体时自发形成所述材料的有效量的金属部分；将前体涂覆(87)在基底上以形成前体膜；所述方法的特征是，在500℃至900℃的温度下，在无氧气氛中加热前体膜以便在基底上形成所述材料的固体薄膜(30、60)的这一加热步骤(91、93)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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