[发明专利]喷射等离子体方法,沉积涂层的设备及制得的涂层有效
申请号: | 98808670.0 | 申请日: | 1998-08-26 |
公开(公告)号: | CN1268982A | 公开(公告)日: | 2000-10-04 |
发明(设计)人: | G·A·科勒;W·H·埃塞魏因;S·M·柯克;B·J·盖茨 | 申请(专利权)人: | 美国3M公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;H01J37/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 白益华 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种在基片上形成有机涂层的方法,包括提供在真空中的基片;提供至少一种含有来自至少一个料源的至少一种组分的气化有机物质,在低于约130Pa的真空度下该有机物质能冷凝;从非气化的有机物质料源的至少一个料源提供等离子体;将所述气化的有机物质和所述等离子体导向基片;以及在等离子体的存在下,使气化的有机物质冷凝并聚合在所述基片上,形成有机涂层。还公开了在基片(75)上形成涂层的喷射等离子体设备,它包括阴极设备(40)、阳极设备(60)和用于提供气化的有机物质的给油设备(120),使得有机物质和等离子体(160)在与基片接触前或与基片接触时相互作用。 | ||
搜索关键词: | 喷射 等离子体 方法 沉积 涂层 设备 | ||
【主权项】:
1.一种在基片上形成有机涂层的方法,它包括:提供在真空中的基片;提供至少一种气化的有机物质,它包括来自至少一个料源的至少一种组分,在低于约130Pa的真空度下该气化的有机物质能冷凝;从非所述气化的有机物质料源的至少一个料源提供等离子体;将所述气化的有机物质和所述等离子体导向基片;以及在等离子体的存在下,使气化的有机物质冷凝并聚合在所述基片上,形成有机涂层。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的