[发明专利]铁电体存储装置及其制造方法

摘要

一种铁电体存储装置,在漏极区2和源极区3之间的半导体层1上依次形成有栅极氧化膜4、浮动栅极5、铁电体层6和控制栅极7。在激活区的大致中央部之外,在浮动栅极5和铁电体层6之间设有介电常数比上述铁电体层6低的氧化硅膜9。与铁电体相比,氧化硅膜9其介电常数小得多。带有氧化硅膜9的部分其容量可以忽略,因此,实质上可以对铁电体层减小容量,由此,可以增大所施加的分压。

主权项

1.一种铁电体存储装置，其特征在于：A)这种铁电体存储装置具备有a1)带有第1导电型基板区域的半导体基板、a2)形成于上述第1导电型区域表面上的1对第2导电型杂质区域，a3)形成于上述1对杂质区域之间的上述基板区域上的第1绝缘膜、a4)形成于上述第1绝缘膜上的铁电体层、a5)形成于上述铁电体层上的上部电极，B)是一种形成于上述第1绝缘膜和上述上部电极之间的绝缘膜，为了使上述铁电体层的实质容量减少，具备有只在上述1对杂质区域之间的上述基板区域上的一部分上形成的实质容量减少绝缘膜。