[发明专利]处理基片的等离子体处理系统和方法无效
| 申请号： | 98810181.5 | 申请日： | 1998-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1102087C | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 怀恩·L·约汉逊 | 申请（专利权）人： | 东京电子株式会社 |
| 主分类号： | B23K10/00 | 分类号： | B23K10/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种装置和方法，其用于调整等离子体密度和/或等离子区的化学成分的分布，由此调整用于处理基片的反应的特性。通过调整复合表面的几何形状来控制等离子体密度和/或等离子区的化学成分的分布，该复合表面与等离子区相接触，并由此激发在等离子区中离子和电子进行复合。例如，可以提供具有预定几何形状的复合部件来调整在一个或多个局部区域中的等离子体密度和化学性质。此外，还可以通过如下方法来调整等离子体密度提供导体屏蔽件来降低耦合到特定的等离子区的RF功率，由此降低在这些区域中的等离子体密度。通过调整等离子区密度和化学成分的分布，可以改善等离子体方法(例如，蚀刻方法或增强的等离子体化学气相淀积方法)的均匀性，由此进一步提高所制造的设备的电性能的均衡性，改善临界尺寸，因此改善了在基片上制造的电路的性能并降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 等离子体 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理基片的等离子体处理系统，其包括：室；功率源；从所说的功率源给在所说的室内的等离子体提供功率的等离子体耦合元件；和用于调整所说的等离子体的密度和所说的等离子体化学成分之中的一种分布的装置。
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