[发明专利]场致发射装置

摘要

一种场致电子发射阴极,它是通过低分辨率方法在绝缘基板(300)上淀积一系列第一导电层(301)、场致发射层(302)和第二导电层(303)以形成至少一个阴极电极制造的。然后通过低分辨率方法在阴极电极上淀积一系列绝缘层(304)和第三导电层(305)以形成至少一个栅极电极。然后用光致抗蚀剂层(306)涂覆如此形成的结构。然后采用高分辨率方法对光致抗蚀剂层(306)进行曝光以形成至少一组发射单元,每个这种组位于阴极电极与栅极电极之间的重叠区中。为了完成单元,依次对导电层和绝缘层(305、304,303)进行蚀刻,以暴露单元中的场致发射层(302),去除其余区域上的光致抗蚀剂层(306)。因此,能够利用相对较低成本的技术制造场致发射材料和装置。

主权项

1.一种制造场致电子发射阴极的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：a.通过低分辨率装置在绝缘基板上淀积第一导电层、场致发射层和第二导电层，以形成至少一个阴极电极；b.通过低分辨率装置在所述阴极电极上淀积绝缘层和第三导电层，以形成至少一个栅极电极；c.对如此形成的结构涂覆一层光致抗蚀剂层d.通过高分辨率装置暴露所述光致抗蚀剂层，以形成至少一组发射单元，每个所述组位于一个所述阴极电极与一个所述栅极电极之间的重叠区中；e.对所述导电和绝缘层依次地进行蚀刻，以暴露所述单元中的所述场致发射层；以及f.去除其余区域的所述光致抗蚀剂层。