[发明专利]集成的光学起偏器无效
| 申请号： | 98810809.7 | 申请日： | 1998-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1278333A | 公开（公告）日： | 2000-12-27 |
| 发明（设计）人： | J·C·莫雷;M·P·肖;J·S·麦肯兹 | 申请（专利权）人： | 布克哈姆技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/126 | 分类号： | G02B6/126 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 崔幼平,黄力行 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在有一个上表面和两个侧表面的一块硅拱棱波导(4)上形成的起偏器,该起偏器包括一部段硅拱棱波导(4),在该拱棱的上表面上或该拱棱的至少一个侧表面上有一个缓冲层(6)和一个光吸收层(7),缓冲层(6)的折射率类似于波导(4)的折射率,使得沿着波导(4)传输和入射到它的各自表面上的光进入缓冲层(6),并随后进入光吸收层(7),从而使沿着波导传输的光的TM模(磁场横模)或TE模(电场横模)衰减。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 光学 起偏器 | ||
【主权项】：
1.一种在有一个上表面和两个侧表面的一块硅拱棱波导上形成的集成光学起偏器，该起偏器包括一部段硅拱棱波导，在该拱棱的上表面上或该拱棱的至少一个侧表面上有一个缓冲层和一个光吸收层，缓冲层的折射率使得沿着波导传输和入射到拱棱波导的各自表面上的光进入缓冲层，并随后进入光吸收层，从而使沿着波导传输的光的TM模(磁场横模)或TE模(电场横模)衰减。
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