[发明专利]低压晶体管的偏置无效
| 申请号： | 98812521.8 | 申请日： | 1998-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1283327A | 公开（公告）日： | 2001-02-07 |
| 发明（设计）人： | P·－O·布兰德特 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永,傅康 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管电路,包括具有连接到各电源(Vss,4)线的漏极(D)和源极(S)端以及接收输入信号的栅极(G)端的场效应晶体管(1),该电路还包括一个二极管(6),它的阳极(B)连接到晶体管(1)的栅极(G)端,它的阴极连接到偏置电压源(7,Vb),其中设置二极管(6)以使电路使用时,场效应晶体管(1)的栅极(G)端的电压电平保持在预定的值或低于预定的值。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 晶体管 偏置 | ||
【主权项】：
1．一种场效应晶体管电路，包括具有连接到各电源线的漏极和源极端以及接收输入信号的栅极端的场效应晶体管，该电路还包括一个二极管，它的阳极连接到晶体管的栅极端，它的阴极连接到偏置电压源，其中设置二极管以使在电路使用时，场效应晶体管的栅极端的电压电平保持在预定的值或低于预定的值。
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