[发明专利]一种在表面上印刻分子级图形的方法无效
申请号: | 98812815.2 | 申请日: | 1998-11-06 |
公开(公告)号: | CN1285932A | 公开(公告)日: | 2001-02-28 |
发明(设计)人: | 约翰·波拉尼;邓肯·罗杰斯 | 申请(专利权)人: | 约翰·C·波拉尼 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;H01L21/306 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 甘玲 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种在反应性固体表面无掩膜形成分子或原子图形的方法。使用了一种吸附剂分子的分子级图形替代传统的肉眼可见的“掩膜”。分子在表面吸附形成的图形是由该表面的结构,吸附剂的化学性能和在表面的吸附剂覆盖率所决定。通过引发吸附剂分子和固体表面之间的定位化学反应,在表面形成图形,然后依据图形对表面进行标记或印刻,导致在吸附剂分子的附近形成印刻。在本发明的一个方面,图形吸附剂的光引发或电子引发导致了与表面的构图反应。该反应能够将构成的图形附着在表面上(构图的“写”或“掺杂”)或从表面构图除去原子(“蚀刻”可以在初始反应中发生或者在图形表面后续辐照的过程中发生)。当吸附剂被光辐照时,电子或离子在基板上通过定位反应印刻图形。这种新方法的具体例子是硅基板和在硅基板上首次吸附形成图形的氯苯分子,在用光或电子辐照时,与吸附剂相同图形的位置上将晶体氯化。定位反应发生在限定的区域,以及辐照引发的反应主要发生在相同的区域直接地证实了定位化学反应的存在。该方法适于分子级为特征地写,掺杂或蚀刻。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面上 印刻 分子 图形 方法 | ||
【主权项】:
1、一种在固体表面形成分子级图形的方法,包括:将一种反应性固体的表面暴露于一种有效的印刻试剂中,在所述的表面的至少一部分上形成吸附分子的图形;以及通过施加有效的激发能引发所述吸附分子在所述的表面邻近其吸附部位定位地发生化学反应将图形印刻在所述的表面上。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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