[发明专利]具有熔体掺杂功能的晶体生长装置无效
| 申请号： | 98812957.4 | 申请日： | 1998-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1285009A | 公开（公告）日： | 2001-02-21 |
| 发明（设计）人： | 马尔切洛·卡内拉 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王景林 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 晶体生长装置能够向该装置内的熔体中提供掺杂剂。装载掺杂剂的料斗结合在装置的提拉轴中,因此不用在该装置中设置附加的口,或是不用通过使装置的内部通向大气,就可以将掺杂剂加到熔体中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 功能 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂晶体的生长方法，包括：使籽晶降落到源材料的熔体中；当降落籽晶时，将掺杂剂填充料从掺杂剂源输送到熔体中；和升起籽晶，用于生长掺杂的晶体。
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