[发明专利]带扭折抑制层的半导体激光器无效
| 申请号： | 98813128.5 | 申请日： | 1998-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1285969A | 公开（公告）日： | 2001-02-28 |
| 发明（设计）人： | 丹尼斯·P·保乐 | 申请（专利权）人： | 镭射通公司 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 这项发明揭示了一种扭折抑制技术,采用该技术分布式反馈激光二极管的谐振腔的光学特征受到控制,以便优先防止高阶横向模的形成。这导致扭折功率的提高并因此导致有用的器件功率范围。具体地说,光学层(优选硅或钛)被沿着光轴安排在脊两侧经过蚀刻的上覆层上。 | ||
| 搜索关键词： | 扭折 抑制 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1．一种半导体激光器件，包括：活性层；夹着所述活性层的上覆层和下覆层；在上覆层上形成的脊，它按照光轴方向延伸；沿着光轴方向定位在所述器件相对的两端并且定义谐振腔的刻面；沿着光轴安排并且相对诸覆层取向，以便减少扭折功率对谐振腔特性的依赖性的扭折抑制层。
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