[发明专利]半导体集成电路器件

摘要

半导体集成电路器件包含基本的包含存储单元和外围电路的电路构件的半导体子结构(SB),及非基本的半导体子结构(ISB),其包括形成在内层绝缘层(28)上的诸如对准标记的附加图形,对准标记具有通过内层绝缘层与硅基片的正面相固定的芯柱部分(30a),从而对准标记在生产过程中保持在原位。

主权项

1．一种在半导体基片(21；51；61；81)上生产的半导体集成电路器件，包含：基本的半导体子结构(SB)，该结构包含至少一个在所述半导体基片的第一部分上生产的并构成半导体集成电路一部分的电路构件(32；53；64)；及非基本的半导体子结构(ISB)，其包括在所述半导体基片的第二部分上形成的底层(21/51/61/81的表面部分；42)；及至少覆盖所述底层并具有到达所述底层的第一接孔(28b；60b；71b；88)的内层绝缘层(28；58/59；69/70；90)，其特征在于：所述非基本半导体子结构还包含用在所述半导体集成电路器件生产过程中的附加图形(30；35/36；41；62；73；82)，还具有形成在所述内层绝缘层上的加工图形部分(30b；35；41a；62a；73a；83/85/86/87)，及穿过所述第一接孔从而与所述底层相固定的锚栓(30a；36；41b；62b；73b；92)。