[发明专利]半导体器件的测试方法和带标识晶体管电路的半导体器件无效
| 申请号： | 99100150.8 | 申请日： | 1999-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1223468A | 公开（公告）日： | 1999-07-21 |
| 发明（设计）人： | 冲康充 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一个位于半导体芯片上的标识晶体管电路,包括一个P－型MOS晶体管和一个N－型MOS晶体管,相互串联在电源接点和地接点之间;一个第一反相器与测试信号端相连并输出给N－型MOS晶体管的漏极;一个第二反相器与第一反相器的输出相连并输出给P－型MOS晶体管的漏极。当性能测试确定该芯片为次品时,输入高电位信号使晶体管标识电路闭锁而损坏进而被确认出来。结果可以确保能确认出次品而不会影响相邻芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 方法 标识 晶体管 电路 | ||
【主权项】：
1、一种测试半导体器件的方法，其特征在于该方法包括如下步骤：设置一个具有标识晶体管电路的半导体芯片；对半导体芯片进行性能测试以确定该芯片是否为次品；当确定为次品芯片时，输入一个使所述的标识晶体管电路产生闭锁的信号并且使该标识的晶体管损坏，从而使该标识的晶体管被观测识别出来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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