[发明专利]形成无孔隙沟槽隔离的方法无效
| 申请号： | 99100336.5 | 申请日： | 1999-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1224927A | 公开（公告）日： | 1999-08-04 |
| 发明（设计）人： | 洪昌基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜,余朦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种在半导体基片上形成隔离沟槽的方法,形成无孔隙隔离,防止在以后的蚀刻步骤中在沟槽的边缘产生凹陷。依此方法,在基片上形成沟槽形成掩模,该沟槽形成掩模由具有不同的蚀刻速率的第一和第二材料层组成。使用沟槽形成掩模蚀刻基片,形成沟槽,接着经湿法腐蚀去掉第一材料层的两侧壁,以形成沟槽形成掩模的钻蚀截面。最后,在基片上淀积沟槽填充绝缘层,填满沟槽形成掩模,其中沟槽填充绝缘层在第一材料层的侧壁处的淀积速度慢于在沟槽的内部的淀积速度。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 孔隙 沟槽 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1．一种在半导体基片中形成沟槽隔离的方法，包含以下各步骤：在半导体基片上形成沟槽隔离掩模，所述的沟槽隔离掩模由具有不同的蚀刻速率的第一和第二材料层组成；使用沟槽形成掩模蚀刻基片，形成沟槽；湿法腐蚀第一材料层以去掉第一材料层的两侧壁，从而形成沟槽形成掩模的钻蚀截面；和在基片上淀积沟槽填充绝缘层，填满沟槽形成掩模，其中，沟槽填充绝缘层在第一材料层的侧壁处的淀积速度慢于在沟槽内部的淀积速度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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