[发明专利]具有动态阈值电压的晶体管电路无效
| 申请号： | 99100907.X | 申请日： | 1999-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN1238532A | 公开（公告）日： | 1999-12-15 |
| 发明（设计）人： | E·J·诺瓦克;R·D·罗斯;M·H·汤 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C19/28 | 分类号： | G11C19/28;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 介绍了一种动态阈值的场效应晶体管，包括连接在晶体管的输入节点和体区之间的电阻。通过包括这种电阻，DTFET可以在体材料技术中实现，并可以利用大于0.5伏的电源电压。电阻可以集成在晶体管内，或可以作为与晶体管分离的分立元件存在。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 动态 阈值 电压 晶体管 电路 | ||
【主权项】：
1．一种半导体器件，包括：衬底；形成在衬底内的晶体管，其中所述晶体管包括连接到栅极的输入节点、输出节点和体区；以及动态控制所述晶体管阈值电平的电路，其中所述电路包括连接到晶体管的输入节点和体区的电阻。
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