[发明专利]二维图像检像器及其制造方法无效
申请号: | 99101264.X | 申请日: | 1999-01-20 |
公开(公告)号: | CN1224244A | 公开(公告)日: | 1999-07-28 |
发明(设计)人: | 和泉良弘;寺沼修;四宫时彦;佐藤敏幸;德田敏 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社;株式会社岛津制作所 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H01L31/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 赵国华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的二维图像检像器,用各向异性导电粘接剂粘接具有电荷储存电容和TFT的有源矩阵基片和具有半导体基片的对置基片。因此,上述TFT不必在已形成的有源矩阵基片上成膜形成半导体层便可完成,从而能够采用CdTe或CdZnTe等。因此,通过将CdTe或CdZnTe等用于具光导电性的半导体层材料,响应性可得到改善,还可适应活动影像。 | ||
搜索关键词: | 二维 图像 检像器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种二维图像检像器,其特征在于,该检像器包括:具有开关元件(5)和包含与该开关元件连接的像素电极(16,26)在内的电荷储存电容(4)的有源矩阵基片(1,22);和具有电极层(19)和具光导电性的半导体层(18,29)的对置基片(2,27,30),所述有源矩阵基片和所述对置基片这两层基片设置成所述电荷储存电容和所述半导体层相对,还包括设于所述两层基片间与这两层基片连接的连接层(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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