[发明专利]改进的多晶硅－硅化物无效
| 申请号： | 99101316.6 | 申请日： | 1999-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN1230780A | 公开（公告）日： | 1999-10-06 |
| 发明（设计）人： | 马赛厄斯·伊尔克;乔纳森·福尔特迈耶;雷德希卡·斯里尼瓦森 | 申请（专利权）人： | 西门子公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/336;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于形成一动态随机存取存储器(DRAM)的方法,该DRAM包括一具有多晶硅－硅化物栅的晶体管,此方法包括在衬底上形成一氧化物层;在氧化物层之上形成一多晶硅层;和在多晶硅层之上沉积一金属硅化物层,该金属硅化物层是用掺杂剂就地掺杂的,以减少多晶硅和金属硅化物层之间的富金属界面;和给氧化物,多晶硅和金属硅化物层构图以形成栅。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 多晶 硅化物 | ||
【主权项】：
1．一种用于形成一动态随机存取存储器(DRAM)的方法，该DRAM包括一具有多晶硅-硅化物栅的晶体管，此方法包括以下步骤：在衬底上形成一氧化物层；在氧化物层之上形成一多晶硅层；和在多晶硅层之上沉积一金属硅化物层，该金属硅化物层是用掺杂剂就地掺杂的，以减少多晶硅和金属硅化物层之间的富金属界面；和给氧化物，多晶硅和金属硅化物层构图以形成栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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