[发明专利]检测磁存储器的热不平度的方法及其电路无效
| 申请号： | 99101726.9 | 申请日： | 1999-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN1124591C | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 高桥泰彦 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/012 | 分类号： | G11B5/012;G11B20/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,张志醒 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过检测磁阻元件与磁存储介质的接触来检测磁存储器的热不平度的方法及其电路。该方法包括检测磁阻元件的输出幅度和产生m倍(m＞1)于输出电平的限幅电平。作为输出相对值的限幅电平由磁阻元件的输出产生，因此具有与每个磁阻元件的输出电平相对应的幅度的限幅电平可自动地产生。因此，可精确地检测每个磁阻元件的热不平度。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 磁存储器 平度 方法 及其 电路 | ||
【主权项】：
1.一种检测利用磁阻元件从磁存储介质读出数据的磁存储器的热不平度的方法，所述的方法包括：第一步骤，检测所述的磁阻元件的输出电平的幅度，和产生m倍于输出电平的限幅电平，其中m＞1；和第二步骤，把所述的磁阻元件的输出电平与限幅电平相比较，产生热不平度检测信号；其中，所述的第一步骤还包括：截止所述磁阻元件输出电平中的预定频率分量的步骤；根据热不平度检测信号保持所述磁阻元件的输出电平的步骤；和将所述的磁阻元件的输出电平乘以“m”以产生所述限幅电平的步骤。
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