[发明专利]成膜设备和形成结晶硅薄膜的方法无效
| 申请号： | 99101731.5 | 申请日： | 1999-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN1235367A | 公开（公告）日： | 1999-11-17 |
| 发明（设计）人： | 桐村浩哉;绪方洁 | 申请（专利权）人： | 日新电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 白益华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种成膜设备,包括用于在基片上形成结晶硅薄膜的形成硅薄膜的真空室;为该真空室而装备的成膜装置,以在所述基片的目标表面上形成结晶硅薄膜的预制膜;以及为该真空室而装备的能量束辐照装置,以便用能量束辐照所述预制膜使之结晶。该成膜设备制得的结晶硅薄膜作为TFT等的半导体薄膜具有良好的质量和良好的生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 设备 形成 结晶 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1．一种成膜设备，它包括：用于在基片上形成结晶硅薄膜的形成硅薄膜的真空室；为该真空室而装备的成膜装置，以在所述基片的目标表面上形成结晶硅薄膜的预制膜；以及为该真空室而装备的能量束辐照装置，以便用能量束辐照所述预制膜使之结晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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