[发明专利]阳极氧化方法和装置以及半导体衬底制造方法无效
| 申请号： | 99102433.8 | 申请日： | 1999-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1227405A | 公开（公告）日： | 1999-09-01 |
| 发明（设计）人： | 坂口清文;佐藤信彦 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/316;C25F3/30;C25F7/00;C25D17/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制作了一种具有多层结构的多孔层。待加工的硅衬底(102)在被夹持于阳极氧化浴槽(101)中的阳极(106)和阴极(104)之间的情况下，在第一电解液(141，151)中被阳极氧化。用第二电解液(142，152)更换第一电解液(141，151)。硅衬底(102)再次被阳极氧化，从而在硅衬底(102)上制作具有多层结构的多孔层。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极 氧化 方法 装置 以及 半导体 衬底 制造 | ||
【主权项】：
1．一种在衬底上制作多孔层的阳极氧化方法，包含下列步骤：制备用来对衬底进行阳极氧化的阳极氧化浴槽；在将所述衬底夹持在所述阳极氧化浴槽中的阳极和阴极之间的情况下，在第一电解液中对待加工的所述衬底进行阳极氧化；用第二电解液替换第一电解液；以及在第二电解液中对所述衬底进行阳极氧化，从而在所述衬底上制作具有多层结构的多孔层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
