[发明专利]半导体光电探测器及其制造方法无效
| 申请号： | 99102999.2 | 申请日： | 1999-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN1238566A | 公开（公告）日： | 1999-12-15 |
| 发明（设计）人： | 杉山光弘 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李亚非 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体光电探测器，因为与入射光高度耦合而具有高的量子效率，并且因为减小了PN结的面积而工作在较高频率下。在本发明的半导体光电探测器中，反射层被淀积在一个方形的波导的一对平行的表面上，而光吸收层则淀积在至少另一对平行的表面上，这对表面是其余表面中的平行表面对之一。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光电 探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体光电探测器，它包括一个方形的光波导，其中：反射层被淀积在所述的方形波导的一对平行的表面上；并且吸收层被淀积在所述的方形波导的至少另外一对平行的表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
