[发明专利]非易失性半导体存储器件无效

专利信息
申请号: 99103191.1 申请日: 1999-03-25
公开(公告)号: CN1229997A 公开(公告)日: 1999-09-29
发明(设计)人: 须藤直昭 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 刘晓峰
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的目的是,在一种如沟道热电子写类型的快速存储器的非易失性半导体存储器件中,减小写后阈值的漂移同时保持写电流检测类型写系统的高速特性。本发明的特点是提供一种具有写电流检测类型写电路和用于读的读出放大器,以及为了写时刻的校准,在由写电流检测类型写电路的校准与利用用于读的读出放大器常规读方式的校准之间的切换。
搜索关键词: 非易失性 半导体 存储 器件
【主权项】:
1.一种非易失性半导体存储器件,其中包括:一个非易失性半导体存储单元阵列,用于在监视到所述存储器单元阵列的一个存储器单元的写单元电流同时执行阈值校准,而实现写操作的写电流检测类型写装置,用于在监视所述存储器单元的当前电流的同时执行存储器单元的阈值校准的读出放大器,以及用于在由所述写电流检测类型写装置的校准与所述用于读的读出放大器的校准之间切换的控制装置。
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