[发明专利]具有导线插头的半导体器件及其生产方法无效
| 申请号： | 99103261.6 | 申请日： | 1999-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1230790A | 公开（公告）日： | 1999-10-06 |
| 发明（设计）人： | 堀场信一 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件,其可防止在导线插头处接触电阻增大和在导线插头附近寄生电容增大的问题。在半导体基片上形成第一介电层;在第一介电层上形成第一导电层;在第一导电层上形成第二介电层;形成第三介电层。在第三介电层上形成第四介电层;在第三介电层上形成第五介电层;形成接孔;导电插头被填充进接孔;在第五介电层上形成第二导电层;及第二导电层与所述基片或位于基片和第一介电层间的区域电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 导线 插头 半导体器件 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体器件，其特征在于包含：(a)在半导体基片上由一层直接形成或间接形成的第一介电层；(b)在所述第一介电层上形成的第一被加工图形的导电层；(c)在所述第一被加工图形的导电层上形成的第二被加工图形的介电层：所述第二被加工图形的介电层具有与所述第一被加工图形的导电层基本相同的平面形状；(d)形成在所述第一介电层上的第三介电层，所述第三介电层作为覆盖整个所述第一被加工图形的导电层和部分覆盖所述第二被加工图形的介电层的层间绝缘层；部分所述被加工图形的第二介电层从所述第三介电层露出；(e)在所述第三介电层上形成第四被加工图形的介电层；所述第四被加工图形的介电层作为从所述第三介电层露出的部分所述第二介电层的侧壁隔离层；(f)在所述第三介电层上形成第五介电层；所述第五介电层作为覆盖从所述第三介电层和所述第四介电层露出的部分所述第二介电层的层间介电层；(g)形成接孔，至少穿过所述第五和所述第三介电层；(h)导电插头被填充进所述接孔；(i)在所述五介电层上形成第二导电层；所述第二导电层与所述导电插头相接触；(j)所述导电插头通过所述接孔中的所述第三介电层与所述第一被加工图形的导电层电绝缘；及(k)所述第二导电层通过所述导电插头与所述基片的一区域或位于所述基片和所述第一介电层间的导电层电连接。
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