[发明专利]利用氧来抑制和修复氢退化的制造铁电集成电路的方法无效
| 申请号： | 99103468.6 | 申请日： | 1999-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1236986A | 公开（公告）日： | 1999-12-01 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·D·库奇亚罗;古谷晃;卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约;宫坂洋一 | 申请（专利权）人： | 塞姆特里克斯公司;日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 甘玲 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 形成含有铁电元件(122)的集成电路,该铁电元件包括至少含两种金属的金属氧化物材料。在300—1000℃的温度下在气氛氧中进行20分钟到2小时的氧复原退火。氧复原退火反转了氢退化的影响并且恢复了铁电特性。随着退火温度的升高和退火时间的加长,氧复原通火的效果更好。铁电元件优选包括层状超晶格化合物。在层状超晶格化合物包括铌酸钽铋锶且前体中铌与钽的摩尔比约为0.4时,铁电特性的氢退化最小。在存在超过化合物的平衡化学计量分子式表示的量的超晶格产生元素和层状超晶格化合物的B位元素中至少一种时,可以进一步减小氢退化。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 抑制 修复 退化 制造 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造集成电路的方法，包括以下步骤：形成包括金属氧化物材料薄膜的集成电路部分；进行氧复原退火，其特征在于，所述的氧复原退火是在300-1000℃的温度下、在含氧气的气氛中进行20分钟到2小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
