[发明专利]用于绝缘体上硅集成电路的掩埋图形的导体层有效
| 申请号： | 99104111.9 | 申请日： | 1999-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1230788A | 公开（公告）日： | 1999-10-06 |
| 发明（设计）人： | T·A·克里斯蒂森;J·E·希特斯二世 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/74;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,王岳 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种使用掩埋的图形层形成分立器件功能的导电体、热导体和/或去耦电容器的绝缘体上硅器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 绝缘体 集成电路 掩埋 图形 导体 | ||
【主权项】：
1．一种半导体电路，包括：(a)一种具有掺杂第一掺杂剂的第一部分和掺杂第二掺杂剂的第二部分的导电衬底；(b)绝缘层；(c)掺杂杂质形成第一器件和第二器件的有源层；(d)电连接所述第一器件和所述第一部分的所述第一导体；以及(e)电连接所述第二器件和所述第二部分的第二导体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99104111.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：照相机
- 下一篇：水涵水剂性添加剂性普通型枣子粉生产工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
