[发明专利]半导体器件和设计方法及该方法的记录介质和支持系统无效
申请号: | 99104839.3 | 申请日: | 1999-04-07 |
公开(公告)号: | CN1231513A | 公开(公告)日: | 1999-10-13 |
发明(设计)人: | 石仓聪 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L21/82 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 每个包括缓冲器或反相器或与缓冲器或反相器的输入管脚连接的用于防止天线损坏或天线规则失效发生的n+扩散层-P阱型保护二极管的中继器单元预先用登记装置511登记,作为要在单元库505中要登记的单元。用确定装置514确定引到栅极的布线导体是否是超过半导体器件中的容许天线比的天线比,如果布线导体超过可容许的天线比,用选择装置515把一个或多个中继器单元插入布线导体的任意点。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 设计 方法 记录 介质 支持系统 | ||
【主权项】:
1、一种半导体器件,通过组合和布置预先登记的功能块并根据所给的逻辑电路说明确定布线图形来形成,所述半导体器件包括:至少包括具有与第一功能块的输入管脚连接的第一导电类型扩散层和与第二电源连接的第二导电类型阱的第一导电类型二极管,和具有与该输入管脚连接的第二导电类型扩散层和与第一电源连接的第一导电类型阱的第二导电类型二极管之一的第一功能块;包括与第一功能块相同的逻辑和相同的驱动能力但不含有所述第一或第二导电类型二极管的第二功能块,其中,当天线比是引到栅极的布线导体的面积和栅极的面积之间的比时,根据引到输入管脚和栅极的布线导体是否是超过所述半导体器件中可容许的天线比的天线比,而选择使用第一功能块或第二功能块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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