[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件无效
| 申请号： | 99104841.5 | 申请日： | 1999-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1244723A | 公开（公告）日： | 2000-02-16 |
| 发明（设计）人： | 杉野干二;石桥健夫;胜谷隆之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社;菱电半导体系统工程株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/26 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于形成孔径或线路图形的分离宽度微小的抗蚀剂图形,获得有微细图形的半导体器件。为此,在半导体衬底形成能产生酸的第一抗蚀剂的孔图形或分离图形,在第一抗蚀剂图形侧壁上形成交联膜(有机框),缩小抗蚀剂图形上的孔径或分离宽度,利用交联膜的热回流现象可进一步缩小分离宽度,然后将该抗蚀剂图形作为掩模,刻蚀半导体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括以下工序：在半导体衬底上形成能生成酸的第一抗蚀剂构成的第一抗蚀剂图形；在上述第一抗蚀剂图形上形成由于酸的存在而引起交联反应的第二抗蚀剂膜；通过来自上述第一抗蚀剂图形的酸的供给，在上述第二抗蚀剂膜与上述第一抗蚀剂图形连接的部分形成交联膜；剥离上述第二抗蚀剂膜的非交联部分，在上述第一抗蚀剂图形上形成被覆了上述交联膜的第二抗蚀剂图形；通过加热处理，使上述交联膜回流，缩小上述第二抗蚀剂图形相互之间的间隔；以及将在其上使上述交联膜回流的上述第二抗蚀剂图形作为掩模，刻蚀上述半导体衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社;菱电半导体系统工程株式会社，未经三菱电机株式会社;菱电半导体系统工程株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99104841.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
