[发明专利]低温回流介电－氟化硼磷硅玻璃无效
| 申请号： | 99105123.8 | 申请日： | 1999-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1270935A | 公开（公告）日： | 2000-10-25 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·基尔绍夫;阿什马·查克拉瓦蒂;马西斯·伊尔格;凯文·A·迈克金利;桑·V·恩古恩;迈克尔·J·沙皮罗 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;西门子公司;兰姆研究公司 |
| 主分类号： | C03B19/14 | 分类号： | C03B19/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用低压CVD工艺在器件上制作掺氟硼磷硅玻璃(F－BPSG)的装置和方法。F－BPSG玻璃在具有窄达0.10μm的间隙和6∶1的形状比的结构的衬底上,表现为基本上无空洞和无颗粒的层。反应剂气体包括由硼和磷掺杂剂、氧、以及TEOS和FTES的混合物组成的源。在约为750—850℃的温度和1—3乇的压力下淀积。最好于相似的条件下退火,以进一步整平F－BPSG表面。还提供了F－BPSG玻璃和其上有掺氟BPSG层的半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 回流 氟化 硼磷硅 玻璃 | ||
【主权项】：
1.一种在低压化学汽相淀积室中，在半导体晶片上制作掺氟的硼磷硅玻璃(F-BPSG)的方法，它包含下列步骤：在低压化学汽相淀积室中，于大约650-850℃的温度和大约0.5-5乇的压力下，混合并反应由TEOS、氟烷氧基硅烷、硼和磷掺杂剂以及氧源组成的气态源；在反应室中淀积的半导体衬底上，淀积掺氟的BPSG层；以及在低于大约800℃的温度下，使层叠的半导体器件回流一段有效的时间以整平淀积的层。
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