[发明专利]耿氏二极管、非辐射性介质波导耿氏振荡器及其制造方法和其安装结构有效
| 申请号： | 99105386.9 | 申请日： | 1999-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1236190A | 公开（公告）日： | 1999-11-24 |
| 发明（设计）人： | 中川敦;渡边健一 | 申请（专利权）人： | 新日本无线株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/328;H01L21/50;H01P7/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 黄依文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体基板上依次层叠有第1半导体层、活化层和第2半导体层的耿氏二极管,具有设于第2半导体层上的对活化层施加电压用的第1、第2电极、从该第1电极周围向着第2半导体层和活化层切入并将与第1电极连接的第2半导体层和活化层作为起耿氏二极管作用的区域划分出来的凹部。因为起耿氏二极管作用的区域划定是通过将形成于该区域上部的电极层作为掩模的自配合的干法刻蚀进行的,故能减少其特性差异。并公开了其制造方法和安装结构及NRD波导耿氏振荡器。 | ||
| 搜索关键词： | 耿氏二极管 辐射性 介质波导 振荡器 及其 制造 方法 安装 结构 | ||
【主权项】：
1．一种在半导体基板上依次层叠有第1半导体层、活化层及第2半导体层的耿氏二极管，其特征在于具有：配置在所述第2半导体层之上、对所述活化层施加电压用的第1、第2电极，以及，从该第1电极周围起向着所述第2半导体层和所述活化层切入、将所述第1电极连接的所述第2半导体层和所述活化层作为起耿氏二极管功能的区域划分出来的凹部。
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