[发明专利]半导体装置的制造方法以及制造装置无效
| 申请号： | 99105497.0 | 申请日： | 1999-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1231505A | 公开（公告）日： | 1999-10-13 |
| 发明（设计）人： | 伊藤信和 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法是用夹具环遮蔽硅圆片的外周缘部由溅射法形成TiN势垒膜,然后用内径尺寸大的夹具环由溅射法形成Cu片膜。让Cu片膜覆盖TiN势垒膜在广面积上形成。即使在TiN势垒膜和Cu片膜覆成膜时发生位置错位,也可以防止TiN势垒膜露出,使得成膜在Cu片膜覆上的铜镀膜不会从TiN势垒膜上剥离,防止渣子的产生,抑制由于该渣子所造成的半导体装置的不合格品的产生,提高半导体装置的制造成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1．一种半导体装置的制造方法，包括在半导体圆片的表面上形成TiN膜的工艺、在所述TiN膜上形成Cu片膜的工艺和在所述Cu片膜形成铜镀膜的工艺，其特征是所述Cu片膜在覆盖所述TiN膜的广面积上形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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