[发明专利]使用磁性材料的元件及其编址方法无效
| 申请号： | 99105682.5 | 申请日： | 1999-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN1236995A | 公开（公告）日： | 1999-12-01 |
| 发明（设计）人： | 别所和宏;岩崎洋 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;G11C11/14;G11C8/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种无需外加磁场即可控制磁化的元件。铁磁性材料形成的磁化区域被包含磁性材料和半导体材料的复合材料的隔离区域所分隔。对隔离区域外加激励,改变分隔的磁化区域之间的磁交互作用,以控制磁化区域的磁化。另外,提供由包含导电材料的导电层和多个磁性层构成的层状组合,使导电层配置在磁性层之间。使电流流过导电层,改变磁性层之间的磁性耦合状态,以控制磁性层之间的磁化方向。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 磁性材料 元件 及其 方法 | ||
【主权项】：
1．一种磁化控制方法，包括：利用含有磁性材料和半导体材料的复合材料的隔离区域分隔铁磁性材料的磁化区域；对所述隔离区域外加激励，改变分隔的磁化区域之间的磁交互作用，从而控制一个或多个分隔的磁化区域的磁化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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