[发明专利]制造铁电集成电路的方法无效
| 申请号： | 99105814.3 | 申请日： | 1999-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1236987A | 公开（公告）日： | 1999-12-01 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·D·库奇亚罗;古谷晃;卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约;宫坂洋一 | 申请（专利权）人： | 塞姆特里克斯公司;日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 甘玲 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 形成含至少两种金属的氧化物的铁电元件(122)的集成电路,使制造电路中氢引起的铁电特性退化最小。在其某些元件中加入作为氢的吸气剂的氧。为使氢退化最小,由其中化学计量过量的构成金属液态前体制造铁电化合物。形成优选含氮化钛的氢阻挡层覆盖铁电元件的上部。200—350℃在氢气中对集成电路进行≤30min氢热处理,使铁电特性退化最小,并恢复集成电路的其它特性。之后,800℃下进行氧复原退火,恢复铁电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造集成电路的方法，包括以下步骤：形成包括金属氧化物材料薄膜(122)的集成电路部分；在含氢的气氛中加热所述的集成电路部分，其特征在于，所述加热步骤在低于350℃的温度下进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
