[发明专利]半导体存储器无效
| 申请号： | 99105864.X | 申请日： | 1999-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN1233057A | 公开（公告）日： | 1999-10-27 |
| 发明（设计）人： | 延时知子;三根浩二 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,余朦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的多个存储单元阵列、地址缓冲器、地址译码器,放大器,启动电路和输出电路分别形成在同一半导体芯片上;连接在远离所述输出电路的存储单元阵列上的地址译码器与所述地址缓冲器间连线的长度短于连接在靠近所述输出电路的存储单元阵列上的地址译码器与所述地址缓冲器间连线的长度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1．半导体存储器，包括：多个存储单元阵列；用于输出地址数据的地址缓冲器；地址译码器，该地址译码器分别与所述的多个存储单元阵列相连接，根据所述地址数据选通所述存储单元阵列中的存储单元并读出存储在其中的数据；放大器，该放大器分别将所述数据放大并输出所放大的数据作为输出数据结果；启动电路，该电路输出启动信号用于启动所述放大器；和输出电路，用于将所述输出数据输出到外部电路；其特征在于：所述多个存储单元阵列，所述地址缓冲器，所述地址译码器，所述放大器，所述启动电路和所述输出电路分别形成在同一半导体芯片上；连接在远离所述输出电路的存储单元阵列上的地址译码器与所述地址缓冲器间连线的长度短于连接在靠近所述输出电路的存储单元阵列上的地址译码器与所述地址缓冲器间连线的长度。
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