[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 99106255.8 | 申请日： | 1999-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1236972A | 公开（公告）日： | 1999-12-01 |
| 发明（设计）人： | 境敏亲;藤井贵晴;矢柴康雄 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H03K17/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李亚非 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一能够获得一最佳延迟时间的半导体器件中,通过在二个相邻的延迟电路之间的连接点多个延迟电路被相互串接以产生从该延迟电路所得到的多个参考延迟信号。该参考延迟信号中的一个信号被确定为相对于一实际条件的最佳延迟时间。因此,在该半导体器件中该延迟时间可以变化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种用来确定一延迟时间的半导体器件，包括：多个相互串接的延迟电路，一个延迟电路通过二个相邻的延迟电路之间的连接点与另一延迟电路相连；选择装置，用来选择多个参考延迟信号中的一个，这些信号中的每一个信号自二个相邻的延迟电路之间的连接点所提供；和确定装置，用来根据所选择的参考延迟信号中的一个信号有选择地确定该延迟时间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99106255.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
