[发明专利]基于深沟槽的动态随机存取存储器和制作方法无效
| 申请号： | 99106678.2 | 申请日： | 1999-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1257308A | 公开（公告）日： | 2000-06-21 |
| 发明（设计）人： | 莱尔提斯·伊科诺米克斯;阿尔莱克·格轮宁;赫伯特·L·豪;卡尔·J·雷德恩斯;莱格尔奥·嘉米;约持姆·豪普夫纳;华申(音译) | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/28;H01L21/316;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过在半导体衬底表面内蚀刻沟槽、在沟槽侧壁上形成介质层、部分地去除介电材料层暴露侧壁上部分、在侧壁上部分上生长氧化层、去除剩余的介电材料层、掺杂以形成埋置电容器板、形成节点介质和在沟槽里面形成内部电极,制作基于深沟槽的存储电容器的存储节点。最好用LOCOS工艺方法形成在沟槽上部分上的氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 深沟 动态 随机存取存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体衬底上制作用于基于深沟槽的存储电容器的存储节点的方法，包括：在半导体衬底表面内蚀刻沟槽；在上述沟槽侧壁上形成介质层；为了曝露所述侧壁的上部分的底层区域部分地去除所述介质层；在所述侧壁的所述上部分上生长氧化物层；从所述沟槽的所述侧壁去除所述介质的剩余部分；掺杂以形成埋置电容器板；为形成节点介质在至少下沟槽侧壁上形成沟槽介质；和在所述沟槽内形成内部电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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