[发明专利]双室离子束溅射淀积系统无效
| 申请号： | 99106794.0 | 申请日： | 1999-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1236826A | 公开（公告）日： | 1999-12-01 |
| 发明（设计）人： | M·皮纳尔巴斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,傅康 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种双室淀积系统包括两个离子束溅射(IBS)淀积室,它们通过晶片装卸室连接,用于以提高的工艺生产率淀积多层薄膜结构。可以在隔离的IBS淀积室中,在衬底上进行反应离子束溅射淀积和金属层淀积,同时保持整个工艺的真空条件。具有AFM层的自旋阀(SV)磁阻传感器各层的离子束溅射淀积工艺,提高了系统的生产率,同时保持了SV传感器的性能,其中所说AFM层由在与随后的金属层淀积隔离的IBS淀积室中进行的NiO的反应溅射淀积形成的NiO构成。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束 溅射 系统 | ||
【主权项】：
1．一种双室淀积系统，包括：第一离子束溅射(IBS)淀积室；第二IBS淀积室；及用于将衬底移到所说双室淀积系统内的晶片装卸室，所说晶片装卸室设置在所说第一和第二IBS淀积室之间，并与它们真空密封连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99106794.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无机纤维生产废料再循环的方法与设备
- 下一篇：半导体器件及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
