[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明的目的是下述(1)、(2)两项(1)在近些年来的大型且像素密度高的大型液晶显示屏等中使用的小的薄膜晶体管的源极和漏极电极用的接触孔形成中,防止因刻蚀不足所引起的绝缘膜刻蚀不尽,或因过刻蚀所引起的半导体层的消失这一现象的发生。(2)使源极电极、漏极电极与半导体层之间进行确实的电接触。为此,(1)通过把接触孔部分的硅膜作成为2层构造等预先形成得厚。(2)在电极金属和半导体之间设置硅化物层。

主权项

1．一种在基板上形成薄膜晶体管的方法，具有通过如果是底部栅极式则在层间绝缘膜，如果是顶部栅极式则除此之外还要在栅极绝缘膜中形成的接触孔，把将成为沟道区域、源极区域、漏极区域的半导体薄膜、层间绝缘膜、栅极绝缘膜连接到半导体薄膜上的源极电极和漏极电极，其特征是：具有非沟道区域增厚形成工序，用于把上述半导体薄膜的用来至少与源极电极和漏极电极连接的接触孔的形成区域形成得比沟道区域还厚。