[发明专利]制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法无效
| 申请号： | 99109051.9 | 申请日： | 1999-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1239819A | 公开（公告）日： | 1999-12-29 |
| 发明（设计）人： | 梁元硕;金奇南;沈载勋;李宰圭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜,余朦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法。根据有源区尺寸控制氧化作用，从而使氧化物在较宽有源宽度(外围区)生长得薄，而在较窄有源宽度(单元阵列区)生长得厚。在具有不同有源区的半导体衬底上形成栅图形。形成栅间隔层，然后进行与有源尺寸相关的氧化工艺，从而生长不同的氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 不同 氧化物 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.在单个芯片上形成两个不同栅氧化物层的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成两个有源区，一个有源区的宽度比另一个有源区的窄；在其间设置栅氧化物层的所述每个有源区上形成栅图形，所述栅图形与所述有源宽度方向平行延伸；在所述每个栅图形的侧壁上形成栅间隔层；和生长所述栅氧化物层，其中在具有较窄有源宽度的所述有源区的所述栅氧化物生长得比在所述另一有源区中的栅氧化物厚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
