[发明专利]制造动态随机存取存储器单元电容器的方法无效
| 申请号： | 99109413.1 | 申请日： | 1999-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1241024A | 公开（公告）日： | 2000-01-12 |
| 发明（设计）人： | 权五益;李世亨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜,余朦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了制造具有改善的垂直和底部形貌的极柱型电容器的方法。在抗反射涂层上淀积存储节点的导电层。在腐蚀导电层和后续的过腐蚀存储节点图形的步骤中,抗反射涂层使得在存储节点的侧壁上更易形成聚合物集结。所得到的聚合物集结作为腐蚀阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 动态 随机存取存储器 单元 电容器 方法 | ||
【主权项】：
1.在半导体器件中制造电容器的方法，包括步骤：在具有多个杂质扩散区的半导体衬底上形成底层，所述底层具有含有氮的顶层；腐蚀所述底层的选中部分并形成多个通到所述杂质扩散区的开口；在所述开口内和所述底层上淀积上导电层；腐蚀所述上导电层和各个开口间的所述顶层的部分厚度，在所述导电极的各个侧壁上形成腐蚀副产品集结作为腐蚀阻挡层的同时形成多个导电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
