[发明专利]低压有源半导体体器件无效
| 申请号： | 99110512.5 | 申请日： | 1999-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1244733A | 公开（公告）日： | 2000-02-16 |
| 发明（设计）人： | 法里伯兹·阿萨德奇;克罗德·L·伯林;杰弗里·P·噶比诺;路易斯·鲁－陈·苏;杰克·阿兰·迈德曼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335;H01L27/12;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种有源FET体器件,它包含具有栅的有源FET区、体区和位于有源FET区中的所述栅与所述体区之间的电连接,同时提供了制造这种器件的各种方法。此电连接基本上在FET的整个宽度上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 有源 半导体 器件 | ||
【主权项】：
1.一种有源FET体器件，它包含：具有栅的有源FET区；体区和位于所述有源FET区中的所述栅与所述体区之间的电连接，其中的电连接基本上在FET的整个宽度上延伸。
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