[发明专利]含混合稀土元素的高阻溅射靶材及其生产工艺无效
| 申请号： | 99113965.8 | 申请日： | 1999-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1121507C | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 吴建生;毛大立;王家敏 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C19/05 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 毛翠莹,罗荫培 |
| 地址： | 200030*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 含混合稀土元素的高阻溅射靶材及其生产工艺，在合金体系中加入镧系和锕系稀土元素，使靶材成为Si-Cr-Ni-Re(Re为稀土元素)四元合金体系，具体成份为Si35％-72％、Cr25％-50％、Ni2％-20％，三元素总和百分比为100％，稀土含量为三元素总重量的0.1％-3.0％，采用特殊真空感应熔炼失蜡熔模精密浇铸。本发明提供的新型靶材具有高精密性、稳定性、可靠性和良好的通用性，可同时适用于制备金属膜和金属氧化膜电阻器，拓展了靶材的适用范围并降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 稀土元素 溅射 及其 生产工艺 | ||
【主权项】：
1、一种含混合稀土元素的高阻溅射靶材，其特征在于在合金体系中加入镧系和锕系稀土元素，使高阻溅射靶材成为一个Si-Cr-Ni-Re四元合金体系，其中Re为稀土元素，具体成份为Si35％-72％、Cr25％-50％、Ni2％-20％，Si、Cr和Ni元素总和百分比为100％，稀土含量为Si、Cr和Ni元素总重量的0.1％-3.0％。
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