[发明专利]一种调节硫化亚铜薄膜铜硫原子比的工艺无效
| 申请号： | 99115804.0 | 申请日： | 1999-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1093890C | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 吴洪才;刘效增 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/48;C23C14/58;H01L21/203;H01L21/265;H01L31/042 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈翠兰 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种光电材料制备工艺领域的一种调节硫化亚铜薄膜铜硫原子比的工艺，其步骤为①选用普遍平板玻璃作为衬底材料，并清洗干净、烘烤；②在衬底玻璃上蒸镀薄膜；③将制备的薄膜硫化；④对硫化亚铜薄膜进行离子注入处理，采用本工艺可对Cu2S薄膜的铜硫原子比进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 硫化 薄膜 原子 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种调节硫化亚铜薄膜铜硫原子比的工艺，其特征在于：①首先选用普通平板玻璃作为衬底材料，并用玻璃清洗剂清洗干净，晾干后放入加热炉中烘烤，烘烤温度300℃～400℃，时间0.5～2小时；②将烘烤过的玻璃放入真空室中，真空度为1×10-2帕，用普遍的热蒸发方法，蒸镀厚度为200nm的铜薄膜；③最后将铜薄膜放入硫化炉中进行硫化，硫化炉内温度为480～540℃，时间为3～8分钟；④将硫化亚铜薄膜放入离子注入机的真空室中，当真空达到1×10-3帕时充入N2，使真空度至2.5×10-3帕，使N2在离子源中放电形成N+离子的等离子体；⑤对等离子体加以引出电压，将N+离子引出，并加速获得10-50KeV能量的离子束，束流密度为0.5-2μA/cm2；⑥将此离子束对硫化亚铜薄膜进行轰击，即可对硫化亚铜薄膜的铜硫原子比进行控制。
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