[发明专利]早熟素杂氮硅三环修饰物及其制备方法无效

专利信息
申请号: 99116110.6 申请日: 1999-04-02
公开(公告)号: CN1074415C 公开(公告)日: 2001-11-07
发明(设计)人: 孔垂华;黄寿山;芦永辉;胡飞;骆世明 申请(专利权)人: 华南农业大学
主分类号: C07F7/00 分类号: C07F7/00;C07F7/18
代理公司: 华南理工大学专利事务所 代理人: 伍宏达
地址: 510642*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 早熟素杂氮硅修饰物其化学结构式为$其制备方法使用7位取代的6-甲酰基-2,2-二甲基-2H苯并吡喃和r-胺丙基杂氮硅三环反应得到,或者使用7位取代的6-甲酰基-2,2-二甲基-2H苯并吡喃和r-胺丙基三乙氧基硅烷反应制得中间体,然后再与三乙醇胺缩合得到。$#!
搜索关键词: 早熟 素杂氮硅三环 修饰 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种早熟素杂氮硅三环修饰物,其特征在于这类修饰物的化学结构式为:其中R代表氢、羟基和甲氧基。
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