[发明专利]闪烁存储器、其写入和删除方法及其制造方法无效
申请号: | 99118397.5 | 申请日: | 1999-09-01 |
公开(公告)号: | CN1246732A | 公开(公告)日: | 2000-03-08 |
发明(设计)人: | 金森宏治 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L27/115;H01L21/8239 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏,余朦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的是提供即使栅绝缘膜不薄也可以低电压工作并且可靠性高的闪烁存储器。该闪烁存储器包括设置在该半导体基片1表面上的带有拐角的沟槽2,在该沟槽内的表面上设置的栅绝缘膜3,通过该栅绝缘膜埋入沟槽内的浮栅4,和与该浮栅绝缘设置的控制栅5,其特征在于,在所述沟槽的底部的拐角中,通过所述栅绝缘膜使所述浮栅的角与半导体基片的隅相对,在控制栅为低电位,而半导体基片为高电位时,从浮栅拐角的角中的拉出电子。 | ||
搜索关键词: | 闪烁 存储器 写入 删除 方法 及其 制造 | ||
【主权项】:
1.一种闪烁存储器,在半导体基片上配有:设置在该半导体基片表面上的有拐角的沟槽;设置在该沟槽内表面上的栅绝缘膜;通过该栅绝缘膜埋入沟槽内的浮栅;和与该浮栅绝缘地设置的控制栅;其特征在于,在所述沟槽的底部拐角上,通过所述栅绝缘膜使所述浮栅的角部与半导体基片的隅相对,在控制栅为低电位,而半导体基片为高电位时,从浮栅拐角的角部拉出电子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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