[发明专利]内场助金属超微粒子/介质复合光电发射薄膜无效
申请号: | 99118962.0 | 申请日: | 1999-09-03 |
公开(公告)号: | CN1103500C | 公开(公告)日: | 2003-03-19 |
发明(设计)人: | 吴锦雷;张琦锋;刘惟敏;薛增泉;吴全德 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;G01J1/02 |
代理公司: | 北京华一君联专利事务所 | 代理人: | 朱美栋 |
地址: | 100871 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种可以对近红外波段弱超快光信号进行检测的内场助光电发射薄膜结构,属于半导体器件领域。此种光电发射薄膜结构的特点是在金属超微粒子/介质复合薄膜表面沉积一层一定厚度的银薄膜电极,从而通过加入内场的方法达到提高该种光电发射薄膜量子产额的目的。本发明的内场助金属超微粒子/介质复合光电发射薄膜可用于近红外光电检测、超快光电信号转换等方面。 | ||
搜索关键词: | 内场 金属 微粒子 介质 复合 光电 发射 薄膜 | ||
【主权项】:
1.一种内场助金属超微粒子/介质复合光电发射薄膜Ag-BaO或Ag-O-Cs,其特征在于金属超微粒子/介质复合薄膜的结构如下:(1)透明玻璃基底;(2)在玻璃基底上镀有以SnO2为主要成份的透明导电薄膜,厚度100~150nm,用导线引出接至电源负极;(3)氧化物半导体基质,厚度50~100nm;(4)含有直径为5~20nm的Ag微粒的半导体基质,厚度80~120nm;(5)厚度为5~10nm的氧化物BaO或Cs2O;(6)Ag薄膜电极,厚度10~20nm,用导线引出接至电源正极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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