[发明专利]光电压产生器有效
申请号: | 99119375.X | 申请日: | 1999-09-13 |
公开(公告)号: | CN1288265A | 公开(公告)日: | 2001-03-21 |
发明(设计)人: | 邱清彰;赖文聪 | 申请(专利权)人: | 光磊科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/04 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 韩宏 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种光电压产生器,包含一衬底;一绝缘层,设置在衬底上;第一杂质扩散层,设置在该缘层上;第二杂质扩散层,和第一杂质扩散层在平行于衬底上表面的方向上交互配置,形成多个纵向pn接面;第三杂质扩散层,其一端连接到第二杂质扩散层,而另一端横跨一纵向Pn接面,延伸入第一杂质扩散层;第四杂质扩散层,连接到第一杂质扩散层,且不连接第三杂质扩散层,而第四杂质扩散层至多横跨一纵向pn接面;以及薄膜电极层和隔离层。 | ||
搜索关键词: | 电压 产生器 | ||
【主权项】:
1、一种光电压产生器,包含:一衬底;一绝缘层,设置在该衬底上;第一杂质扩散层,设置在该绝缘层上;第二杂质扩散层,深度达到该绝缘层,而极性和该第一杂质扩散层相反,且该第二杂质扩散层和该第一杂质扩散层在平行于该衬底上表面的方向上交互配置,形成多个纵向pn接面;第三杂质扩散层,位于与该绝缘层相反侧的该第一杂质扩散层和该第二杂质扩散层的表面层,且极性与该第二杂质扩散层相同,该第三杂质扩散层一端连接到该第二杂质扩散层,而另一端横跨一该纵向pn接面,延伸入该第一杂质扩散层;第四杂质扩散层,位于与该绝缘层相反侧的该第一杂质扩散层和该第二杂质扩散层的表面层,为极性与该第一杂质扩散层相同的高浓度杂质扩散层,该第四杂质扩散层连接到一该第一杂质扩散层,且不连接于与同一该第一杂质扩散层连接的该第三杂质扩散层,而该第四杂质扩散层至多横跨一该纵向pn接面。薄膜电极层,同时连接一该第四杂质扩散层,及一该第二杂质扩散层或一该第二杂质扩散层上的该第三杂质扩散层;以及隔离层,设置在该薄膜电极层之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光磊科技股份有限公司,未经光磊科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/99119375.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的